Дослідження нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових приладах

Abstract

Нерівноважні носії в напівпровідниках можуть виникати під впливом зовнішніх електричних полів, неіонізуючого електромагнітного випромінювання (включаючи оптичний діапазон), іонізуючого випромінювання та інших енергетичних факторів. Зазначені фактори викликають перехід електронів з валентної зони в зону провідності. Крім цього, під впливом електричного поля може відбуватися ударна іонізація атомів, коли електрон або дірка, прискорюючись в сильному електричному полі до енергії, достатньої для процесу іонізації, стикається з атомом, що викликає народження електронно-діркової пари. Часто такий процес призводить до пробою електричних переходів. У всіх цих випадках нерівноважні носії заряду є надлишковими над рівноважним носіями при даній температурі. Мета роботи: вивчення процесів генерації та рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових приладах; встановлення часу життя нерівноважних носіїв, моделювання струму в колі з нерівноважними зарядами.