Дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів методом Холла

Abstract

Останні десятиліття розвитку фізики твердого тіла характеризуються тим, що основними об’єктами дослідження все частіше стають не масивні кристали, а напівпровідникові тонкі плівки, багатошарові тонкоплівкові системи, наноструктури. У таких системах істотно змінюється більшість електронних властивостей – виникає велике число нових, так званих розмірних ефектів. Сучасна фізика напівпровідників неможлива без розгляду впливу магнітного поля на електронні властивості напівпровідника. Вивчення взаємодії носіїв заряду в напівпровідниках із магнітним полем, починаючи з класичних гальваномагнітних явищ – ефекту Холла та магніторезистивного ефекту й закінчуючи квантовим ефектом Холла та ефектами спінзалежної рекомбінації і перенесення є важливим аспектом пізнання напівпровідникових матеріалів як з погляду фундаментальної науки, так і для їхнього практичного застосування. Мета роботи : ознайомитися із застосуванням структур Ван-дер-Пау при вимірюванні параметрів напівпровідникових шарів за допомогою ефекту Холу в технології напівпровідникових приладів. Дослідити вплив магнітного поля на електрофізичні параметри тонкоплівкових напівпровідникових структур, зокрема використовуючи ефект Холла отримати основні електрофізичні параметри напівпровідників.