Короткий опис(реферат):
Останні десятиліття розвитку фізики твердого тіла характеризуються тим, що основними об’єктами дослідження все частіше стають не масивні кристали, а напівпровідникові тонкі плівки, багатошарові тонкоплівкові системи, наноструктури. У таких системах істотно змінюється більшість електронних властивостей – виникає велике число нових, так званих розмірних ефектів. Сучасна фізика напівпровідників неможлива без розгляду впливу магнітного поля на електронні властивості напівпровідника. Вивчення взаємодії носіїв заряду в напівпровідниках із магнітним полем, починаючи з класичних гальваномагнітних явищ – ефекту Холла та магніторезистивного ефекту й закінчуючи квантовим ефектом Холла та ефектами спінзалежної рекомбінації і перенесення є важливим аспектом пізнання напівпровідникових матеріалів як з погляду фундаментальної науки, так і для їхнього практичного застосування. Для нових областей сучасної електронної техніки актуальною залишається тонкоплівкова реалізація властивостей матеріалу. Високі значення оптичного коефіцієнта поглинання (103~104 см-1) та статичної діелектричної проникності (декілька сотень) дають можливість використовувати тонкі плівки для створення багатоелементних матриць. Розглядаючи напівпровідникові матеріали, варто звернути увагу на сполуки системи AIVBVI. Такі напівпровідникові сполуки використовуються в різних галузях електроніки, а саме: в сонячних батареях, спінтроніках, в якості джерел і детекторів середнього і далекого інфрачервоного діапазону оптичного спектру, для елементів пам’яті і вони є базовим матеріалом для створення термоелектричних перетворювачів енергії, фотоприймальних пристроїв. Сполуки такого типу серед усіх напівпровідникових сполук являються унікальними через ряд певних фундаментальних характеристик: ширина забороненої зони, висока діалектрична проникність, радіаційна стійкість, високі значення рухливості носіїв заряду, висока іонність та ін. Мета роботи – дослідити вплив магнітного поля на електрофізичні параметри тонкоплівкових напівпровідникових структур, зокрема використовуючи ефект Холла отримати основні електрофізичні параметри напівпровідників.
